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Robust Fabry-Perot interference in dual-gated Bi$_2$Se$_3$ devices

机译:强大的法布里 - 珀罗干扰双门限Bi $ _2 $ se $ _3 $器件

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摘要

We study Fabry-Perot interference in hybrid devices, each consisting of amesoscopic superconducting disk deposited on the surface of a three-dimensionaltopological insulator. Such structures are hypothesized to contain protectedzero modes known as Majorana fermions bound to vortices. The interferencemanifests as periodic conductance oscillations of magnitude $\sim 0.1$ $e^2/h$.These oscillations show no strong dependence on bulk carrier density or samplethickness, suggesting that they result from phase coherent transport in surfacestates. However, the Fabry-Perot interference can be tuned by both top and backgates, implying strong electrostatic coupling between the top and bottomsurfaces of topological insulator.
机译:我们研究混合设备中的Fabry-Perot干扰,每个设备均由沉积在三维拓扑绝缘体表面上的反镜超导盘组成。据推测,这种结构包含受保护的零模式,即被称为“马约拉纳费米子”的零涡模式。干扰表现为周期性电导振荡,幅度为\\ sim 0.1 $ e ^ 2 / h $,这些振荡表明对载流子密度或样品厚度没有强烈的依赖性​​,表明它们是由表面态的相干传输引起的。但是,法布里-珀罗(Fabry-Perot)干扰可以通过顶部和底部栅极来调节,这意味着拓扑绝缘体的顶部和底部表面之间存在强静电耦合。

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